激光加热基座晶体生长炉（LHPG）具有无坩埚、无污染、温度梯度大、生长速度快、适合生长高熔点的高质量晶体等*势。

微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）制造的微波等离子化学气相沉积系统, 通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。

德国SciDre公司推出的高压氧气氛退火炉温度可达850°C，压力可达150个大气压。可用于高压晶体生长的料棒前处理。也可用于含氧晶体的高温退火处理。

德国SciDre 高温高压光学浮区炉能够提供2200–3000℃以上的生长温度，晶体生长腔压力可达300Bar，甚至10-5mBar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。

日本 ADVANCE RIKO公司的桌面式超高温高速退火炉以大功率点聚焦加热以及超高反射效率可以在10s内将15mm×15mm的试样加热到1800℃，对SiC以及其它高熔点材料进行退火处理。

美国Thermal Technology热压炉是为同时需要高温和高压的复杂实验或研究工作而开发设计的。主要应用于粉末材料的稠化、固体部件的扩散粘结、纤维复合材料的加工等域。