激光加热基座晶体生长炉（LHPG）具有无坩埚、无污染、温度梯度大、生长速度快、适合生长高熔点的高质量晶体等*势。

微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）制造的微波等离子化学气相沉积系统, 通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。

近年来直流型SPS加工技术（Direct Current Sintering）得到广泛的研究和推广，这种新型的SPS技术采用直流电源系统，简化了系统的复杂性，同时也大大降低了硬件成本。另外相较于脉冲电流，直流电源系统可以无间断的在样品内产生内热，因此大大的压缩了加工时间。TT公司制造出新型SPS技术-直流型等离子烧结（DCS），并得到了各地用户的青睐和认可新型SPS

德国SciDre公司推出的高压氧气氛退火炉温度可达850°C，压力可达150个大气压。可用于高压晶体生长的料棒前处理。也可用于含氧晶体的高温退火处理。

四电弧高温单晶生长炉是电弧加热的高温材料合成方法，非常适合生长化学性质活跃但熔点高（般在3000摄氏度左右）的金属间化合物，包括含有稀土元素（或者金属铀）的二元及四元金属间化合物等合金单晶。