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产品中心材料制备/样品合成炉子（烧结炉、电弧炉等）HKZSciDre 高温高压光学浮区炉
产品简介
德国SciDre 高温高压光学浮区炉能够提供2200–3000℃以上的生长温度，晶体生长腔压力可达300Bar，甚至10-5mBar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。
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SciDre 高温高压光学浮区法单晶炉介绍：
| 德国SciDre公司推出的能够提供2200–3000℃以上的生长温度，晶体生长腔压力可达300bar，甚至10-5mbar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。 应用域 适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。 |
耐高温、耐高压、高真空、 高透光率、拆装简便的样品腔 |
由德国弗劳恩霍夫应用光 和精密工程研究所化设计的高反射率镜面， 镜体位置可由高精度步进马达控制调节 |
光阑式光强控制器 更方便地调节熔区温度，延长灯泡寿命 |
仿真化触屏控制软件 界面友好，操作简单 |
熔区测温选件测温技术 可实时监测加热区温度 |
多路立气路控制选件 可控制N2、O2、Ar、空气等的流量和压力， 并可对气体进行比例混合与熔区进行反应 |
气体除杂选件 可使高压氩气中的氧含量达到10-12ppm |
退火选件 可对离开熔区的单晶棒提供 高达1100℃退火温度和高压氧环境 |
SciDre 高温高压光学浮区法单晶炉点
● 采用垂直式光路设计
● 采用高照度短弧氙灯，多种功率规格可选
● 熔区温度：>3000℃
● 熔区压力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多种规格可选
● 氧气/氩气/氮气/空气/混合气等多种气路可选
● 采用光栅控制技术，加热功率从0-100% 连续可调
● 样品腔可实现低至10-5mbar真空环境
● 丰富的可升选件
SciDre高温高压光学浮区法单晶炉技术参数
熔区温度：高达2000 - 3000℃以上
熔区压力：高至10、50、100、150、300 bar可选
熔区真空：1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可选
熔区气氛：Ar、O2、N2等可选
气体流量：0.25 – 1 L/min流量可控
氙灯功率：3kW至15kW可选
料棒台尺寸：6.8mm或9.8mm可选
拉伸速率：0.1-50mm/h
调节速率：0.6 mm/s
拉伸尺寸：130mm，150mm，195mm可选
旋转速率：0-70rpm
用电功率：400V三相 63A 50Hz
主机尺寸：330cm*163cm*92cm （不同规格略有差异）
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中国科学院物理研究所
中国科学院固体物理研究所
北京师范大学
中山大学
南昌大学
上海大学
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