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SciDre 高温高压光学浮区炉

SciDre 高温高压光学浮区炉

简要描述:德国SciDre 高温高压光学浮区炉能够提供2200–3000℃以上的生长温度,晶体生长腔压力可达300Bar,甚至10-5mBar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶,介电和磁性材料单晶,氧化物及金属间化合物单晶等。

产品型号: HKZ

所属分类:炉子(烧结炉、电弧炉等)

更新时间:2022-01-13

厂商性质:生产厂家

详情介绍
品牌其他品牌最高温度3000℃
价格区间面议仪器种类箱式炉
产地类别进口应用领域石油,电子,冶金,电气,综合

SciDre 高温高压光学浮区炉介绍:



德国SciDre公司推出的能够提供2200–3000℃以上的生长温度,晶体生长腔压力可达300bar,甚至10-5mbar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶,介电和磁性材料单晶,氧化物及金属间化合物单晶等。


应用域


适用于生长各种超导材料单晶,介电和磁性材料单晶,氧化物及金属间化合物单晶等。





耐高温、耐高压、高真空、

高透光率、拆装简便的样品腔


由德国弗劳恩霍夫应用光

和精密工程研究所化设计的高反射率镜面,

镜体位置可由高精度步进马达控制调节


光阑式光强控制器

更方便地调节熔区温度,延长灯泡寿命


仿真化触屏控制软件

界面友好,操作简单


熔区测温选件测温技术

可实时监测加热区温度


多路立气路控制选件

可控制N2、O2、Ar、空气等的流量和压力,

并可对气体进行比例混合与熔区进行反应


气体除杂选件

可使高压氩气中的氧含量达到10-12ppm


退火选件

可对离开熔区的单晶棒提供

高达1100℃退火温度和高压氧环境


SciDre 高温高压光学浮区炉

●  采用垂直式光路设计

●  采用高照度短弧氙灯,多种功率规格可选

●  熔区温度:>3000℃

●  熔区压力:10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多种规格可选

●  氧气/氩气/氮气/空气/混合气等多种气路可选

●  采用光栅控制技术,加热功率从0-100% 连续可调

●  样品腔可实现低至10-5mbar真空环境

●  丰富的可升选件


SciDre单晶炉技术参数

熔区温度:高达2000 - 3000℃以上

熔区压力:高至10、50、100、150、300 bar可选

熔区真空:1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可选

熔区气氛:Ar、O2、N2等可选

气体流量:0.25 – 1 L/min流量可控

氙灯功率:3kW至15kW可选

料棒台尺寸:6.8mm或9.8mm可选

拉伸速率:0.1-50mm/h

调节速率:0.6 mm/s

拉伸尺寸:130mm,150mm,195mm可选

旋转速率:0-70rpm

用电功率:400V三相 63A 50Hz

主机尺寸:330cm*163cm*92cm (不同规格略有差异)


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中国科学院物理研究所

中国科学院固体物理研究所

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南昌大学

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