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产品中心材料制备/样品合成薄膜、颗粒、胶体等制备Nano CVD台式高性能CVD石墨烯/碳纳米管快速制备系列
产品简介
Moorfield与学术界紧密合作研发的台式高性能CVD石墨烯/碳纳米管快速制备系列可以用来快速生产高质量的石墨烯用于学术和应用研究。
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台式高性能CVD石墨烯/碳纳米管快速制备系列-Nano CVD
产品简介：
台式高性能CVD石墨烯/碳纳米管快速制备系列-Nano CVD是为制备高质量的石墨烯与碳纳米管而开发的高性能台式CVD系统。在与诺奖科研团队的长期合作中获得的丰富经验使该系列产品具有非常高的性能。别是针对石墨烯、碳纳米管等不同的应用进行了针对性的化。该系列产品操作简便，生长条件控制准确，生长迅速、制备出的样品具有高质量、高可重复性，这些点使得该系列产品受到多个石墨烯研究团队的赞誉。该系列产品适合于想要制备高质量石墨烯或碳纳米管用于前沿学术研究的团队。例如，埃克塞大学、哈德斯菲尔德大学、莱顿大学、亚森工业大学这些的高校均是nanoCVD系列的用户。
nanoCVD采用全新的设计理念，可以快速、高质量地生产石墨烯或碳纳米管。与传统的简易CVD(管式炉)相比，该系统基于冷壁设计方案，具有以下主要点:
◎ 系统可以快速的升温和降温。
◎ 更加准确的条件控制和可靠的工艺重现性。
◎ 安全性设计，具有尾气稀释模块。
◎ 智能化设计，全自动引导式触屏操作系统。
◎ 支持自动程序的设定与储存。
◎ 雄厚的技术积累，业的技术支持。
设备型号：
台式超高质量石墨烯快速制备CVD系统- nanoCVD 8G
nanoCVD-8G系统是性能稳定的快速的石墨烯生长系统。nanoCVD-8G具有压强自动控制系统，可以准确的控制石墨烯生长过程中的气氛条件。系统采用低热容的样品台可在2分钟内升温至1000℃并准确控温。该装置采用了冷壁技术，样品生长完毕后可以快速降温。正是因为这些条件可以让用户在30分钟内即可获得高质量的石墨烯。用户通过HMI触屏进行操作，所有的硬件都是自动化的。更有内置的标准石墨烯生长示例程序供用户参考。该系统安装迅速，非常适合需要持续快速获取高质量石墨烯用于高质量学术研究的团队。埃克塞大学、哈德斯菲尔德大学、莱顿大学、亚森工业大学等很多著名的高校都是该系统的用户。
主要点：
◎ 合成高质量、可重复的石墨烯 ◎ 生长条件准确控制 ◎ 高达温度：1100 °C ◎ 生长时间：<30 min ◎ 基片尺寸大：20 × 40 mm2 ◎ 全自动过程控制 ◎ MFC流量计控制过程气体 (Ar、H2与CH4) ◎ 用户友好型触屏控制 ◎ 可设定、存储多个生长程序 ◎ 可连接电脑记录数据 ◎ 易于维护 ◎ 全面安全性设计，尾气稀释模块 ◎ 兼容超净间 ◎ 系统性能稳定
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小型等离子增强大尺寸石墨烯制备CVD系统 - nanoCVD WPG
nanoCVD-WPG将nanoCVD-8G高质量石墨烯生长的功能与等离子体增强技术相结合，系统可制备晶圆尺寸(3英寸或4英寸)别的样品。除此之外，用该系统准确的生长控制条件可以制备多种高质量的2D材料，该系统是小型CVD系统性能上的个重大飞跃。全新的设计方案和控制系统使该系统成为制备大面积2D样品的上佳选择。
应用域包括:石墨烯和2D材料、光伏电、触屏材料、高性能生物电子材料、传感器、储能材料。
主要点：
生长条件： ◎ 衬底：Cu、Ni等薄膜或薄片 ◎ 工作原料：CH4，C2H4， PMMA等 ◎ 保护气体：H2，Ar，N2等
典型配置指标： ◎ 腔体：腔壁水冷技术，热屏蔽不锈钢腔体 ◎ 真空系统：分子泵系统，5×10-7 mbar本底真空。 ◎ 样品台：大4英寸直径，高达1100°C ◎ 操作控制：触摸屏/电脑接口；可手动控制或自动控制 ◎ 气体控制：MFC 流量计，Ar，CH4，H2为标配种类。 ◎ 过程控制：自动控制 ◎ 等离子源：150 W/13.56 MHz RF 电源，样品台附近或需要的位置产生等离子体。 ◎ 安全性：冷却与真空锁系统，气体稀释模块。 |
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台式超准碳纳米管快速制备CVD系统 - nanoCVD 8N
nanoCVD-8N与石墨烯生长系统nanoCVD-8G有诸多共同之处，并针对碳纳米管生长条件进行了化。这些条件对于碳纳米管(CNT)样品的质量和可重复性(主要是单壁形式)是至关重要的。创新的冷壁式腔体与传统管式设备相比更易准确控制实验条件和快速升降温。nanoCVD-8N具有智能的控制系统和完备的安全性设计。设备易于安装，易于使用，是快速进入高质量研究的理想选择。该系统获得沃里克大学用户的高度赞誉。
碳纳米管可采用Fe、Co、Ni的纳米颗粒作为催化剂生长在SiO2/Si, Si3N4以及石英等衬底上。
通过衬底与催化剂的选择，可以生长的碳纳米管有：
• 随机: 随机方向的相互交叠的单壁碳纳米管
• 有序: 平行的单壁碳纳米管
• 竖直: 竖直的单壁碳纳米管束
主要点：
◎ 合成的碳纳米管具有很高的可重复性； ◎ 门为单壁碳纳米管进行了化； ◎ 生长条件准确控制； ◎ 高达温度：1100 °C； ◎ MFC流量计控制过程气体 (Ar、H2与CH4)； ◎ 基片尺寸：大20 × 40 mm2； ◎ 生长时间：<30 min； ◎ 全自动生长条件准确控制； ◎ 用户友好型触屏； ◎ 可设定、存储多个生长程序 ◎ 可连接电脑记录数据； ◎ 易于维护； ◎ 全面安全性设计，尾气稀释模块； ◎ 兼容超净间； ◎ 系统性能稳定； |
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发表文章
Residual metallic contamination of transferred chemical vapor deposited graphene
Lupina, G., et al. ACS Nano 2015 DOI: 10.1021/acsnano.5b01261
本文作者研究了通常用于将CVD石墨烯放置到应用衬底上的湿转移工艺会导致材料的微量污染。这些纯度会对石墨烯的其他殊性产生不影响，并对电子和光电应用产生影响。
相关设备: nanoCVD-8G
Transparent conductive graphene textile fibers
Neves, A. I. S., et al. Scientific Reports 2015 DOI: 10.1038/srep09866
使用nanoCVD-8G制成的石墨烯被转移到纤维上，*生产出柔韧的、*嵌入的纺织电。石墨烯的高质量意味着电有超低的表面电阻和高的机械稳定性。
相关设备: nanoCVD-8G
High quality monolayer graphene synthesized by resistive heating cold wall chemical vapor deposition
Bointon, T. H., et al. Advanced Materials 2015 DOI: 10.1002/adma.201501600
展示了冷壁法CVD合成石墨烯的势，并报道了使用nanoCVD – 8G制备的高质量石墨烯材料具有超高的载流子迁移率，表现出半整数量子霍尔效应，这与剥离制备的样品相当。
相关设备: nanoCVD-8G
Mapping nanoscale electrochemistry of individual single-walled carbon nanotubes
Güell, A. G., et al. Nano Letters 2014 DOI: 10.1021/nl403752e
用nanoCVD – 8N技术制备了单壁碳纳米管，并用电化学技术对其进行了研究。高分辨率的测量可以检查单个单壁碳纳米管的性。这发现对未来使用SWNT电的器件设计具有重要意义。
相关设备: nanoCVD-8N
Nanoscale electrocatalysis: Visualizing oxygen reduction at pristine, kinked, and oxidized sites on individual carbon nanotubes
Byers, J. C., et al. Journal of the American Chemical Society 2014 DOI: 10.1021/ja505708y
电化学技术，结合使用nanoCVD - 8N技术产生的单壁碳纳米管，被用来证明即使在没有掺杂、修饰或缺陷的情况下，碳纳米管也表现出显著的活性。
相关设备: nanoCVD-8N
用户单位
埃克塞大学 |
哈德斯菲尔德大学 |
莱顿大学
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亚琛工业大学 |
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