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太赫兹近场光学显微镜

太赫兹近场光学显微镜

简要描述:太赫兹(THz)光源波长较大,般在300微米左右。由于衍射限的存在,THz远场测量系统的光学空间分辨率般被限制在150微米左右。该THz光远场测量结果的准确度经常无法满足对材料科学研究,尤其是需要纳米分辨率的微细尺度材料分布研究(例如半导体芯片中各个组成:源,漏,栅)的实验。太赫兹近场光学显微镜(THz-NeaSNOM)的出现为此难题提供了个很好的解决方案。

产品型号: THz-NeaSNOM

所属分类:显微镜

更新时间:2022-01-13

厂商性质:生产厂家

详情介绍
品牌其他品牌产地类别进口
应用领域化工,能源,电子,电气,综合

太赫兹近场光学显微镜 THz-NeaSNOM---30nm光学信号空间分辨率

产品简介:

    太赫兹(THz)光源波长较大,般在300微米左右。由于衍射限的存在,THz远场测量系统的光学空间分辨率般被限制在150微米左右。该THz光远场测量结果的准确度经常无法满足对材料科学研究,尤其是需要纳米分辨率的微细尺度材料分布研究(例如半导体芯片中各个组成:源,漏,栅)的实验。THz-NeaSNOM近场光学显微镜的出现为此难题提供了个很好的解决方案。

   德国neaspec公司与Fraunhofer IPM在neaspec公司neaSNOM近场光学显微镜的基础上,已经成功研发了套易用使用且THz系统的空间分辨率达到30nm的实验设备。


太赫兹近场光学显微镜THz-NeaSNOM主要技术参数与点:

   


+于30nm的空间分辨率

+常用THz光范围:0.1-3THz

+宽波段抛面镜

+THz研究可使用商业化的AFM探针

+THz-TDS使用飞秒激光光源

+简单易用,稳定性高

应用案例:

THz-NeaSNOM 30nm空间分辨率

THz-NeaSNOM近场光学显微镜(下图左)对半导体结构的测量结果图。

该结果表明硅衬底(上图左,灰色)上的SiO(氧化硅)的尺寸大约在1.5×1 平 方微米。通过分析左侧的高度数据,可以知道该氧化硅结构仅仅只有大约22纳米厚度。虽然该层状结构非常薄,但THz-NeaSNOM近场光学显微镜(下图左)在测量高度的同时仍然能够记录该结构与衬底的近场光学信号的明显不同衬度的结果。该THz-NeaSNOM近场光学显微镜不仅在测量非常薄样品的时 候灵敏度非常高,而且通过分析近场光学信号数据(下图右)也证实了它超高的空间分辨率(~25-30nm)。

   表征半导体器件 Nature 456,454(2008)  




超快机制研究纳米线  Nature Photonics 8,841(2014)  

测试数据

表征半导体器件 Nature 456,454(2008)

超快机制研究纳米线  Nature Photonics 8,841(2014)

用户单位

部分用户好评与列表(排名不分后)

neaspec公司产品以其稳定的性能、*的空间分辨率和良好的用户体验,得到了国内外众多科学家的认可和肯定......

南京大学

中山大学

都师范大学

苏州大学




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