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电容温度传感器

产品简介

CS系列电容传感器几乎不受磁场影响,非常适合用作强磁场中的低温温度控制传感器。因位移电流不受磁场影响,当扫描磁场或在恒定温度操作下改变场值时,可将温度控制波动保持在最丶低水平。

产品型号:
更新时间:2024-04-18
厂商性质:生产厂家
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CS系列电容传感器几乎不受磁场影响,非常适合用作强磁场中的低温温度控制传感器。位移电流不受磁场影响,当扫描磁场或在恒定温度操作下改变场值时,可将温度控制波动保持在最丶低平。


主要特征

☛  几乎无磁场引起误差

☛  能够在强磁场下保持mK控制稳定性

☛  从低温接近室温时电容与温度保持单调性

☛  需要辅助传感器提供温度值


由于电容/温度曲线在热循环时会发生微小变化,因此必须在冷却后将校准结果从另一个传感器转移到电容上,以获得最佳精度。建议使用另一个温度传感器测量零磁场温度,电容传感器仅用作温度控制元件。


温度重复性

经过一段时间的热循环后,电容传感器的电容/温度对应值会发生一些改变,在4.2K、77K和室温时大约是十分之几的变化。在较长时期后,变化可达到1℃或更多。然而任何减少的电容,C(T)/C(4.2K)一般稳定在±0.5K以内。这些变化或漂移,在温度响应曲线中,对传感器的稳定性没有影响,因此在某个给定的温度下,这些变化是不会影响电容传感器做为控制元件使用的主要功能。


温度稳定性/温度传递准确性

电容传感器在工作温度下长时间提供非常稳定的控制条件,但由于存在工作“老化"现象,因此在使用时必须考虑这种情况。电容/温度特性的变化可能是介电常数和介电损耗(或称 "老化")随时间变化的结果,所有铁电介质都会出现这种情况。这种时间依赖性表现为电容/温度值的短期漂移(数分钟至数小时),传感器受到热干扰或改变激励电压或频率时就会出现这种漂移。为弥补这一缺陷,在初始冷却至所需工作温度后,以及在对控制温度进行重大调整时,应将传感器稳定一小时。

在稳定一小时后,这种短期漂移在 4.2 K 时为每分钟十分之几mK,在 305 K 时为每分钟几个mK。漂移始终沿着电容减小的方向进行,因此与 290 K 以下温度的降低相对应。

CS系列电容温度传感器参数

基本信息


标准曲线

不适用

标称电容

6.1 nF

标称灵敏度

26 pF/K

精度(互换性)

不适用

精度(标定)

标定应该原位进行

推荐激励

1 至 5 kHz、0 至 7 V 峰值激励或任何其他可接受的电容测量方法

推荐激励下的损耗

不适用

预期长期稳定性

±1.0 K/年

热响应时间

分钟,由电子器件设定时间控制

辐射影响

不适用辐射环境

磁场影响

几乎无磁场影响

温度使用范围

最丶低温度

最高温度

CS-501GR

1.4 K

290 K






CS系列电容温度传感器温度特性

典型的CS电容特性


典型的CS灵敏度特性


典型的CS无量纲灵敏度特性




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