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新代高性能激光浮区法单晶炉

新代高性能激光浮区法单晶炉

简要描述:新代高性能激光浮区法单晶炉可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科域相关单晶材料制备,尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。

产品型号: LFZ-2KW

所属分类:单晶炉

更新时间:2021-05-19

厂商性质:生产厂家

详情介绍
品牌自营品牌价格区间面议
仪器种类箱式炉产地类别进口
应用领域能源,电子,冶金

新代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ

 

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       Quantum Design Japan公司推出的激光浮区法单晶生长系统传承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的进设计理念,新代高性能激光浮区炉(型号:LFZ-2kW)具有更高功率、更加均匀的能量分布和更加稳定的性能,将浮区法晶体生长技术推向个全新的高度!

 

应用域

       可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科域相关单晶材料制备,尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。

激光浮区法单晶生长系统可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科域相关单晶材料制备,尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作,跟传统的激光浮区法单晶生长系统相比,Quantum Design公司推出的新代激光浮区法单晶炉系统具有以下技术势:

 

● 采用全新五束激光设计,确保熔区能量分布更加均匀 

● 更加科学的激光光斑化方案,有助于降低晶体生长过程中的热应力

● 采用了*的实时温度集成控制系统

 

RIKEN(CEMS)设计的五束激光发生器原型机实物

 

新代激光浮区法单晶炉系统主要技术参数: 

 

加热控制加热类型5束激光
激光功率2KW
熔区温度2600℃ ~ 3000℃*
温度稳定性+/-1℃
晶体生长控制      晶体生长设计长度可达150mm*
晶体生长设计直径可达8mm*
晶体生长速度/转速可达  300mm/hr; 100rpm
样品腔可施加压力可达10bar
样品腔气氛多种气路(O2/Ar/混合气等)可供选配
晶体生长监控高清摄像头
晶体生长控制PC控制

 

*具体取决于材料及实验条件

 

应用案例

 

采用新代激光浮区法单晶炉系统生长出的部分单晶体应用案例:

 

Ruby

 

Dy2Ti2O7

 

BaTiO3

 

 

 Sr2RuO4

 

 SmB6

 

 Ba2Co2Fe12O22

 

Y3Fe5O12

 

 * 以上单晶图片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供

 

用户单位

东京大学

日本国立材料研究所

 



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