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三维原子层沉积系统ALD

三维原子层沉积系统ALD

简要描述:原子层沉积(Atomic layer deposition)是将气相前驱体脉冲交替通入反应器,化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的种方法,是种可以将物质以单原子膜形式层层镀在衬底表面的方法,因此,它是种真正的“纳米"技术,以精确控制方式实现纳米的超薄薄膜沉积。三维原子层沉积系统ALD用饱和化学吸附的性,可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。

产品型号: GEMStar-4/6/8 XT

所属分类:材料制备/样品合成

更新时间:2023-04-24

厂商性质:生产厂家

详情介绍
品牌其他品牌产地类别进口
应用领域化工,电子

台式三维原子层沉积系统ALD简介:

原子层沉积(Atomic layer deposition, ALD)是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器,化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的种方法,是种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此,它是种真正的“纳米"技术,以精确控制方式实现纳米的超薄薄膜沉积。由于ALD用的是饱和化学吸附的性,因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。

美国ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统,在小巧的机身(78 x56 x28 cm)中集成了原子层沉积所需的所有功能,可zui多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁,结合前驱体瓶加热,管路加热,横向喷头等设计, 使温度均匀性高达99.9%,气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在 8英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%,而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖,可实现对高达1500:1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。

GEMStar XT 产品点:

l  300℃ 铝合金热壁,对流式温度控制

l  175℃温控150ml前驱体瓶,200℃温控输运支管

l  可容纳多片4,6,8英寸样品同时沉积

l  可容纳1.25英寸/32mm厚度的基体

l  标准CF-40接口

l  可安装原位测量或粉末沉积模块等选件

l  等离子体辅助ALD插件

l  多种配件可供选择

GEMStar XT 产品型号:

GEMStar -4 XT:

l  zui大4英寸/100 mm基片沉积

l  单路前驱体输运支管, 4路前驱体瓶接口

l  不可升为等离子体增强ALD

GEMStar -6/8 XT:

l  zui大6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉积

l  双路前驱体输运支管, 8路前驱体瓶和CF-40接口

l  可升为等离子体增强ALD

 三维原子层沉积系统ALD

GEMStar -8 XT-P:

l  zui大8英寸/200mm基片沉积

l  双路前驱体输运支管, 8路前驱体瓶和CF-40接口

l  装备高性能ICP等离子发生器

13.56 MHz 的等离子源非常紧凑,只需风冷,zui高运行功率达300W。

l  标配3组气流质量控制计(MFC)控制的等离子气源线,和条MFC控制的运载气体线,使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。

丰富配件:


多样品托盘:

l  多样品夹具,样品尺寸(8", 6", 4")向下兼容。

l  多基片夹具,zui多同时容纳9片基片。


温控热托盘:

l  可加热样品托盘,zui高温度500℃,可实现热盘-热壁复合加热方式。




尾气处理系统:

 

臭氧发生器:


粉末旋转沉积罐模块:

配合热壁加热方式,进步实现对微纳粉末样品全保型薄膜均匀沉积包覆。


手套箱接口:

可从侧面或背面*接入手套箱,与从底部接入手套箱不同,不占用手套箱空间。由于主机在手套箱侧面,反应过程中不对手套箱有加热效应,不影响手套箱内温度。

 







国内外用户

已发表文献

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11、  Kevin J. Maloney et al. Microlattices as architected thin films: Analysis of mechanical properties and high strain elastic recovery. APL Mater. 1, 022106 (2013) DOI: 10.1063/1.4818168

12、   Sean W. Smith et al. Improved Temperature Stability of Atomic Layer Deposition Coated Cellulose Nanocrystal Aerogels. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (2012) DOI: 10.1557/opl.2012.




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