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中国科学院固体物理研究所和南昌大学相继顺安装高温高压光学浮区法单晶炉

更新时间:2018-06-14点击次数:444

    近日,德国SciDre高温高压光学浮区法单晶炉(HKZ系列)分别在中国科学院固体物理研究所和南昌大学顺完成了安装调试。

   光学浮区法单晶生长工艺具有无需坩埚、无污染、生长快速、易于实时观察晶体生长状态等诸多点,有于缩短晶体的研究周期并加快难以生长晶体的研究进展,非常适合晶体生长研究,近年来备受关注,现已被广泛应用于各种超导材料、介电和磁性材料以及其它各种氧化物及金属间化合物的单晶生长。 

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图1:现场安装培训 

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图2:现场安装培训  

    目前,高熔点、易挥发性材料的浮区法单晶生长是大棘手问题,德国SciDre公司推出的HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉成功地克服了这技术难题。HKZ可提供高达3000℃以上的生长温度,晶体生长腔大压力可达300bar。HKZ的诞生进步化了光学浮区法单晶炉的生长工艺条件,使得高熔点、易挥发性材料的单晶生长成为了可能。

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图3:德国SciDre公司HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉

 

德国SciDre公司HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉技术色:

◆  能够同时实现大压力300bar大气压(选配)和大温度>3000℃(选配);

◆  能够分别立控制不同气体的流速和流量,能够实现样品生长的气体定速定量混合反应;

◆  在保持灯泡输出功率恒定的情况下,采用调节光阑(shutter)的方式对熔区进行控温,从而能够有效延长灯泡使用寿命;

◆  能够针对不同温度需求采用不同功率的灯泡,从而对灯泡进行有效用,大化灯泡使用效率和寿命;

◆  拥有丰富的功能选件可进行选择和拓展,包括熔区红外测温选件、大1×10-5mbar的真空选件、实现氧含量达10-12PPM的气体除杂选件、对长成的单晶可提供高压氧环境退火装置选件。

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图4:德国SciDre公司HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉原理示意图 

    Quantum Design 团队在中国科学院固体物理研究所和南昌大学进行的德国SciDre高温高压光学浮区法单晶炉(HKZ系列)的安装调试工作受到了客户和制造商的*。我们也祝愿广大Quantum Design用户科研顺!

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