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电弧等离子体沉积系统

发布时间: 2019-11-29  点击次数: 453次

■  双电弧等离子体源共沉积制备新型铂镍催化剂

 

    N. Todoroki[1]等人以高活性氧还原反应(oxygen reduction reaction,ORR)为目标,设计了种新型基于铂-镍合金纳米颗粒堆叠薄膜(nanoparticle-stacking thin film,NPSTF)结构的电催化剂。合成所得铂-镍NPSTF的质量活性比商用碳负载的铂催化剂要高十倍。铂-镍NPSTF显著的ORR活性增强被归因于:

1)由底层镍原子诱导的表面铂富集层的电子性质修饰;

2)由铂-镍纳米颗粒堆叠而实现的活性表面区域的增加。

    本实验用日本Advance Riko公司的APD电弧等离子体沉积系统完成。

 

参考文献:
 

[1]N. Todoroki, et al., Pt−Ni Nanoparticle-Stacking Thin Film: Highly Active Electrocatalysts for Oxygen Reduction Reaction. ACS Catal., 2015, 5, 2209-2212.

 

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■  电弧等离子体源与分子束外延技术的集成

 

    在进电子与光电子器件域, C族-Ⅳ族半导体材料是颇受关注的种重要材料。别地,碳含量在4%~11%的Ge1-xCx外延层被认为具有直接带隙结构、且能够补偿由硅衬底晶格失配引起的固有应变。然而,目前尚未获知稳定的GeC相晶体材料,而且体材Ge中低的C原子溶解度(平衡态下为108 atoms/cm3)也阻碍了获取结晶良好且含碳量高的GeC外延层。目前已有部分用MBE或CVD生长GeC外延层的报道,相关研究人员目前的研究重点之是提升外延层Ge1-xCx中替位C含量x的数值。近期,有研究人员用超高真空考夫曼型宽离子束源,在200 ℃~500 ℃的生长温度下,在Ge(001)衬底上获得了x≤2%的Ge1-xCx外延层。

    在M. Okinaka等人[1]的工作中,为了进步增强非平衡生长,采用了电弧等离子体枪作为新型C源,在Si(001)衬底上用MBE制备了GeC外延层。结果表明,对于在硅表面用MBE生长GeC外延层来说,电弧等离子体枪的使用以及非平衡生长的增强,对于外延层中C的掺入以及抑制外延层中C团簇的形成具有重要作用。

以电弧等离子体作为碳源在Si(001)衬底表面生长的碳膜的AFM图像,薄膜表面非常平整,粗糙度为纳米

 

参考文献:
[1] M. Okinaka, et al., MBE growth mode and C incorporation of GeC epilayers on Si(001) substrates using an arc plasma gun as a novel C source. J. Cryst. Growth, 2003, 249, 78-86.
 

[2] G. Yu, et al., Ion velocities in vacuum arc plasmas. J. Appl. Phys., 2000, 88, 5618.

 

详情请点击: 电弧等离子体沉积技术的殊应用案例——电弧等离子体源与分子束外延技术的集成

 

 

 【产品详情】

1.电弧等离子体沉积系统

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